星期二, 11月 25

英特爾發布 3D NAND 技術可大幅提升SSD容量

固態硬盤的數據傳輸速度雖然很快,但售價和容量還都是個問題。這種寬度為2.5英寸的硬盤用來容納存儲芯片的空間較為有限,容量越高的芯片可以增加硬盤的總體存儲空間,但更高的成本也拉高了硬盤的售價。


  對於這個問題,英特爾可能已經在3D NAND當中找到了解決辦法。3D NAND是英特爾和鎂光的合資企業所研發的一種技術,它的概念其實非常簡單:不同於將存儲芯片放置在單面,英特爾和鎂光研究出了一種將它們堆疊最高32層的方法。這樣一來,單個MLC閃存芯片上可以增加最高32GB的存儲空間,而單個TLC閃存芯片可增加48GB。


這款硬盤目前已經進入了原型機階段。在本月20日和投資者進行的視頻會議上,英特爾高級副總裁Rob Crooke稱他作展示所使用的就是採用3D NAND技術所打造的硬盤。雖說如此,這種硬盤還要等到明年中旬才會開售,且最初的價格會非常昂貴。首批配備3D NAND技術的固態硬盤將具備數TB的容量,主要受眾是企業用戶。

不過從長期來看,這種技術可能會拉低1-4TB容量固態硬盤的價格,並進一步降低固態硬盤的體積——這對於筆記本和平板電腦廠商來說肯定是個好消息。

英特爾和鎂光並非是唯一在探索這種技術的廠商。三星的32層V-NAND技術可為每個MLC單元裝備最高10GB的容量,且該技術已經被應用在了量產產品當中。雖然這種技術能為固態硬盤增加的容量並不如英特爾的技術那麼高,但三星稱他們下一代的技術將會在2015年末推出,到那時,雙方肯定會迎來一場直面對抗。
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