英特爾發布 3D NAND 技術可大幅提升SSD容量

固態硬盤的數據傳輸速度雖然很快，但售價和容量還都是個問題。這種寬度為2.5英寸的硬盤用來容納存儲芯片的空間較為有限，容量越高的芯片可以增加硬盤的總體存儲空間，但更高的成本也拉高了硬盤的售價。


　　對於這個問題，英特爾可能已經在3D NAND當中找到了解決辦法。3D NAND是英特爾和鎂光的合資企業所研發的一種技術，它的概念其實非常簡單：不同於將存儲芯片放置在單面，英特爾和鎂光研究出了一種將它們堆疊最高32層的方法。這樣一來，單個MLC閃存芯片上可以增加最高32GB的存儲空間，而單個TLC閃存芯片可增加48GB。

這款硬盤目前已經進入了原型機階段。在本月20日和投資者進行的視頻會議上，英特爾高級副總裁Rob Crooke稱他作展示所使用的就是採用3D NAND技術所打造的硬盤。雖說如此，這種硬盤還要等到明年中旬才會開售，且最初的價格會非常昂貴。首批配備3D NAND技術的固態硬盤將具備數TB的容量，主要受眾是企業用戶。

不過從長期來看，這種技術可能會拉低1-4TB容量固態硬盤的價格，並進一步降低固態硬盤的體積——這對於筆記本和平板電腦廠商來說肯定是個好消息。

英特爾和鎂光並非是唯一在探索這種技術的廠商。三星的32層V-NAND技術可為每個MLC單元裝備最高10GB的容量，且該技術已經被應用在了量產產品當中。雖然這種技術能為固態硬盤增加的容量並不如英特爾的技術那麼高，但三星稱他們下一代的技術將會在2015年末推出，到那時，雙方肯定會迎來一場直面對抗。